日韓因自身的歷史恩怨問題，打起了東北亞貿(mào)易戰(zhàn)。日本宣布加強(qiáng)半導(dǎo)體等三項(xiàng)關(guān)鍵材料的審查并擴(kuò)大范圍，韓方也立即聲討日本并采取各種反制。大貿(mào)易戰(zhàn)之外還有小貿(mào)易戰(zhàn)，似乎宣告全世界又進(jìn)入了經(jīng)濟(jì)板塊與供應(yīng)鏈劇烈調(diào)整的年代。

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日韓因自身的歷史恩怨問題，打起了東北亞貿(mào)易戰(zhàn)。日本宣布加強(qiáng)半導(dǎo)體等三項(xiàng)關(guān)鍵材料的審查并擴(kuò)大范圍，韓方也立即聲討日本并采取各種反制。大貿(mào)易戰(zhàn)之外還有小貿(mào)易戰(zhàn)，似乎宣告全世界又進(jìn)入了經(jīng)濟(jì)板塊與供應(yīng)鏈劇烈調(diào)整的年代。

從短期來看，日韓貿(mào)易戰(zhàn)、東芝存儲(chǔ)器(TMC)停電停工、多家大廠宣布減產(chǎn)等因素，導(dǎo)致DRAM與NAND Flash的現(xiàn)貨價(jià)格在第3季上揚(yáng)，至于批發(fā)價(jià)格，據(jù)日經(jīng)新聞(Nikkei)報(bào)導(dǎo)，DRAM的DDR4型4Gbit在7月止跌，維持在2.5美元前后與上月同水平，NAND Flash的TLC型128Gbit產(chǎn)品7月反轉(zhuǎn)上揚(yáng)比6月漲3%達(dá)1.95美元左右。從2018年下跌至今的存儲(chǔ)器價(jià)格終于有了回穩(wěn)跡象，但距離供應(yīng)鏈斷貨還差得遠(yuǎn)。

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不過三星電子(Samsung Electronics)原本正以極紫外光(EUV)微影技術(shù)研發(fā)DRAM的先進(jìn)制程，很可能因EUV光阻劑出口審查趨于嚴(yán)格、取得的數(shù)量受限，被迫暫?；蜓雍?，因?yàn)镋UV光阻劑或許必須優(yōu)先供應(yīng)目前最先進(jìn)的EUV 7奈米制程的產(chǎn)線。另外，SK海力士(SK Hynix)一樣正在研發(fā)EUV微影技術(shù)的DRAM先進(jìn)制程，也可能被出口審查緊縮給打亂。但這些都不會(huì)影響到存儲(chǔ)器的供應(yīng)。

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日本政府從7月初加強(qiáng)半導(dǎo)體等三項(xiàng)材料的輸韓審查之后，從包裹式的優(yōu)惠審查改為逐件審查，至8月底已通過2件光阻劑、1件氟化氫的申請(qǐng)。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，日廠JSR出口給三星的EUV光阻劑，其中1件已于8月21日運(yùn)抵韓國。由于逐件審查的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)程為90天，不到2個(gè)月就已批準(zhǔn)了3件，令不少人感到意外，不過這也符合日本政府從7月初就反覆強(qiáng)調(diào)的，日方只是對(duì)輸韓的一部分物資加強(qiáng)審查，并非禁運(yùn)。

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另外，日本政府于8月初宣布從8月28日起，進(jìn)一步把韓國剔出安全保障友好國白名單(后來改稱Group A名單)，加強(qiáng)輸韓物資審查的范圍，從半導(dǎo)體等三項(xiàng)材料，可能擴(kuò)大到工具機(jī)、碳纖維等戰(zhàn)略物資。韓國政府也很快采取相應(yīng)措施，把日本剔除出出口審查優(yōu)惠的名單。

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不過，韓國政府也特別聲明，DRAM與NAND Flash等存儲(chǔ)器，并不在加強(qiáng)審查的范圍。也就是說不管日韓貿(mào)易戰(zhàn)怎么打，韓廠的存儲(chǔ)器出貨依然不受影響。

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日方如何審查氟化氫　可看出貿(mào)易戰(zhàn)是否激化

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然而，日本政府接下來，是否會(huì)持續(xù)批準(zhǔn)雜質(zhì)在一兆分之一以下的超高純度氟化氫出口韓國，則是接下來的關(guān)注重點(diǎn)。因?yàn)槌呒兌确瘹?，是DRAM、NAND Flash、微處理器等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造都必須使用，比EUV光阻劑牽涉的范圍更廣。

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依照日本政府反覆的聲明，現(xiàn)行的措施并非禁運(yùn)，而是加強(qiáng)審查，而且日方已經(jīng)核可2件光阻劑、1件氟化氫輸韓的情況來看，各種被列入加強(qiáng)審查的其他戰(zhàn)略物資，可能花費(fèi)更多的手續(xù)與時(shí)間之后，仍能輸入韓國。日方并非直接斷貨(禁運(yùn))，讓韓廠無法生產(chǎn)，而是讓韓廠略為受損，并受到加強(qiáng)審查的牽制，以便在下一個(gè)階段與韓方的談判或者對(duì)立中，取得有利位置。

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對(duì)全球存儲(chǔ)器市場來說，突然拿不到貨的危機(jī)并不大。即使韓廠的全球市占很高，三星與SK海力士合計(jì)，DRAM占70%以上，NAND Flash占40%左右，但不像日本材料廠一樣擁有獨(dú)家技術(shù)。時(shí)間一旦拖長，他國廠商就有充分余裕拿出替代方案。

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美光(Micron)正在日本、臺(tái)灣、新加坡擴(kuò)充產(chǎn)線，東芝存儲(chǔ)器正聯(lián)手威騰電子(WD)在日本巖手縣新建的廠房將于今秋完工，以因應(yīng)即將于2020年回復(fù)的存儲(chǔ)器需求，臺(tái)灣DRAM廠全球市占合計(jì)雖僅3~4%但仍保有供應(yīng)能力且正期待轉(zhuǎn)單效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵，中國長鑫存儲(chǔ)的DRAM、長江存儲(chǔ)的NAND據(jù)稱也正準(zhǔn)備2019年底投產(chǎn)。在最先進(jìn)制程上，美光在DRAM 1z奈米制程略為落后三星但也即將投產(chǎn)，東芝存儲(chǔ)器的NAND則與韓廠差距不大，因此大部分存儲(chǔ)器的產(chǎn)能，就算因日韓情勢(shì)惡化而出現(xiàn)缺口，順利補(bǔ)上的機(jī)率仍然很高。

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而晶圓代工，原本就是臺(tái)廠強(qiáng)項(xiàng)，若韓廠生產(chǎn)受阻，將會(huì)很樂于補(bǔ)上缺口。CMOS影像傳感器(CIS)方面，日本Sony全球市占超過50%，而韓廠合計(jì)未達(dá)25%，斷貨威脅不大。

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至于OLED面板，IHS Markit指出，OLED面板材料氟聚酰亞胺雖已經(jīng)在加強(qiáng)審查的名單內(nèi)，但只有氟含量超過10%的氟聚酰亞胺才是日本政府此次規(guī)范的對(duì)象，OLED面板使用的產(chǎn)品，氟含量在10%以下，因此目前并未受到影響。

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韓方尋求替代方案可能損害部分日廠　但需很長時(shí)間

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韓國政府8月5日宣布，將在未來的7年間投入7.8兆韓元(約64億美元)，將半導(dǎo)體、顯示器面板、汽車、電機(jī)與電子、機(jī)械與金屬、基礎(chǔ)化學(xué)等六大領(lǐng)域中，長期依賴日本的100項(xiàng)原材料、零組件、機(jī)械等，指定為戰(zhàn)略物資。

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其中，這次貿(mào)易戰(zhàn)最先被日方限制的超高純度氟化氫、光阻劑、氟化聚酰亞胺等20個(gè)項(xiàng)目，努力在1年內(nèi)穩(wěn)定供應(yīng)，對(duì)其余80個(gè)品類則是5年內(nèi)穩(wěn)定供應(yīng)。穩(wěn)定供應(yīng)的方法則以國產(chǎn)化、從其他國家尋找替代品，兩者并行。

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韓國政府扶植原材料、零組件、機(jī)械產(chǎn)業(yè)，或?qū)ふ胰諒S之外的替代廠商，使不少日媒評(píng)論擔(dān)心，上述產(chǎn)業(yè)中長期占有優(yōu)勢(shì)的日廠，可能因韓廠客戶取得國產(chǎn)品或替代品，就此失去長期的大客戶。

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然而在材料領(lǐng)域，雖然韓國媒體不斷報(bào)導(dǎo)半導(dǎo)體材料已可在2020年研發(fā)出替代品，例如8月就接連報(bào)導(dǎo)，韓國業(yè)者Soulbrain、SK Materials2020年可量產(chǎn)超純度氟化氫，可隆工業(yè)(Kolon Industries)目標(biāo)10月?lián)屜燃趧?dòng)，SKC則目標(biāo)2020年內(nèi)投產(chǎn)，但實(shí)際上，如果能1~5年內(nèi)就完成替代產(chǎn)品，那么更早以前就應(yīng)該已經(jīng)完成，而不必等到現(xiàn)在。

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韓國砸錢替代日本材料與設(shè)備廠　難度高且有排擠效應(yīng)

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韓國政府發(fā)展零組件、材料的計(jì)劃，由來已久。日本電子裝置產(chǎn)業(yè)新聞報(bào)導(dǎo)，從1999年起，以汽車、電子、機(jī)械三個(gè)產(chǎn)業(yè)為中心，韓國政府就提出零組件發(fā)展計(jì)劃，2000年制定零組件與材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展特別法，特別法中以3~5年為單位，設(shè)立中長期發(fā)展規(guī)劃，并規(guī)定每年度的施行計(jì)劃及追蹤執(zhí)行成效，用制度化的方式來進(jìn)行材料與零組件的生產(chǎn)與供需調(diào)節(jié)。

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到2012年，韓國知識(shí)經(jīng)濟(jì)省(現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)通商資源省)公布，零組件、材料項(xiàng)目中，已達(dá)到世界一流水平的項(xiàng)目，從2001年只有8項(xiàng)，到2010年增加為37項(xiàng)，另外，主要零組件國產(chǎn)化的比例，在顯示器面板領(lǐng)域，2003年國產(chǎn)比例為56.8%，到2008年提高到67.2%，充電式電池(Rechargeable battery)零組件國產(chǎn)比例從65.6%提升到78.4%。成果相當(dāng)不錯(cuò)。

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然而，零組件、材料的對(duì)日貿(mào)易逆差，在2010年增加為2001年的2.3倍，達(dá)243億美元，對(duì)日貿(mào)易逆差的39.2%，就是關(guān)鍵材料的領(lǐng)域。

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從既有案例來看，的確在某些領(lǐng)域，采用國家大量資助的方式，并且花費(fèi)10~20年時(shí)間，能夠大幅拉高國產(chǎn)比例，但不是所有的領(lǐng)域都可行。而另外一個(gè)方法，就是從日本之外的他國廠商尋求替代品。但這也不容易達(dá)成。

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據(jù)JBPress報(bào)導(dǎo)，以野村證券的資料來計(jì)算后發(fā)現(xiàn)，光是在半導(dǎo)體制造設(shè)備，2018年的全球市占率，光阻劑涂布裝置(Coater developer)日廠就占了93.6%，批量清洗裝置(Batch cleaner)日廠占90.5%，逐件清洗裝置(In-line claener)占67.3%，臨界尺寸掃描電子顯微鏡(CD-SEM)占74.1%，針測機(jī)(Prober)占94.0%，晶圓切割機(jī)89.4%，研磨機(jī)(Grinder)占99.3%等等。而這還只是其中一部分。

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日廠市占高的部分，即使歐美半導(dǎo)體廠商也難以競爭。例如英特爾(Intel)、博通(Broadcom)、高通等大廠，都是在自身擅長的領(lǐng)域建立優(yōu)勢(shì)，而非與日本材料或設(shè)備廠爭搶。日廠既有的市占越高，其他廠商就越難挑戰(zhàn)，因此要替代日廠的代價(jià)就更大。

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就算韓國政府與產(chǎn)業(yè)界不計(jì)代價(jià)設(shè)法替代掉一部分日廠，固然可以讓自身產(chǎn)業(yè)鏈更加完整并打擊日本材料與設(shè)備廠，但也必然相當(dāng)吃力，消耗大量資源，而且在半導(dǎo)體、面板制造上也無法反過來卡住日本，因?yàn)槿毡疽逊侨珥n國般的半導(dǎo)體與面板制造大國。經(jīng)濟(jì)正大幅減速的韓國，同樣的資源投資在更具發(fā)展性的項(xiàng)目會(huì)達(dá)到更好效果，如英特爾在1980年代日廠席卷全球存儲(chǔ)器市場時(shí)，放棄存儲(chǔ)器而轉(zhuǎn)攻微處理器此一新領(lǐng)域，事后證明對(duì)于國家或高科技產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與壯大更有幫助，甚至能搶在競爭對(duì)手之前卡位。

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